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场效应管5n60c技术参数

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  5N60C是N沟道MOS场效应管,漏极电流为4、5A,脉冲电流允许18A,D-S耐压600V。功耗:33W,工作温度范围:-55°C to +150°C,封装类型:TO-220F,功率,Pd:33W,封装类型:TO-220F,常用于开关电源中作开关管。


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