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内存卡如何存储信息

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  内存卡属于闪存flash类型的产品。

  闪存是以单晶体管作为二进制信号的存储单元,其结构与普通的半导体晶体管非常类似,区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”。浮动栅用于贮存电子,表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆,并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时,NAND单晶体管的存储状态就由1变成0;而当负电子从浮动栅中移走后,存储状态就由0变成1。包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”,达到保存数据的目的。

  如果要写入数据,就必须将浮动栅中的负电子全部移走,令目标存储区域都处于1状态,只有遇到数据0时才发生写入动作,但这个过程需要耗费较长的时间,导致不管是NAND还是NOR型闪存,其写入速度总是慢于数据读取的速度。


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